エッチング方法及び装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994203956
Publication number (International publication number)：1996069993
Application date： Aug. 29, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】この発明は、マスク端部からの活性ガスの侵入によるマスク特性の劣化を低減する。【構成】反応容器1 に、活性ガスを導入するガス導入口1a及び反応生成ガス等を排気ポンプによって排気するガス排気口1bを設け、反応容器1 内には支持台2 を設け、支持台2 の上に被処理基板3 を支持する支持棒4 を設け、支持棒4 の上方に所望の形状を有し、表面に多結晶シリコン膜が形成されたマスク板片5 を固定する固定棒6 を設けている。ガス導入口1aに輸送管7 の一端を設け、輸送管7 の他端に石英放電管8 の一端を設け、石英放電管8 の外側にμ波アプリケ-タ-9が放電管8 を覆うように設けられ、μ波アプリケ-タ-9 にμ波電源からμ波を導入するμ波導入口9aを設け、石英放電管8 の他端にガス供給口8aを設けている。従って、マスク端部からの活性ガスの侵入によるマスク特性の劣化を低減できる。

Claim (excerpt)：

被処理基板の表面上に薄膜を形成する工程と、マスク板片の表面上に、前記薄膜をエッチングするための活性ガスを消費する薄膜を形成する工程と、前記マスク板片の表面と前記被処理基板の表面とを所定の間隔を設けて対向させる工程と、前記マスク板片をマスクとして、前記被処理基板の表面上の薄膜を前記活性ガスによりエッチングする工程と、を具備することを特徴とするエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-116822
ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-207578 Applicant：三洋電機株式会社
半導体基板周縁部の破損区域のエッチング方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-153085 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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