半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995103760
Publication number (International publication number)：1996306876
Application date： Apr. 27, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体記憶装置のスタック型のキャパシタ形成工程において、電極形状加工に用いるシリコン酸化膜を選択的に除去する。【構成】半導体記憶装置の情報蓄積電極と対向電極と容量絶縁膜とで構成されるスタック型のキャパシタ形成工程において、前記情報蓄積電極の形状加工に用いるシリコン酸化膜に不純物を添加し、燐酸、硫酸、硝酸又はこれらの混合溶液を含む化学薬液、あるいはアンモニア水溶液と過酸化水素水の混合溶液によるエッチングで前記シリコン酸化膜を選択的に除去する。

Claim (excerpt)：

半導体記憶装置の情報蓄積電極と対向電極と容量絶縁膜とで構成されるスタック型のキャパシタ形成工程において、前記情報蓄積電極の形状加工に用いるシリコン酸化膜に不純物を添加し、燐酸、硫酸、硝酸又はこれらの混合溶液を含む化学薬液、あるいはアンモニア水溶液と過酸化水素水の混合溶液である化学薬液によるエッチングで前記不純物を添加したシリコン酸化膜を選択的に除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/306 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (4)：

H01L 27/10 621 C , H01L 21/306 D , H01L 27/04 C , H01L 27/10 621 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-266948 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-327906 Applicant：日本電気株式会社
半導体記憶装置の電荷保存電極製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-338045 Applicant：ヒュンダイエレクトロニクスインダストリーズカムパニーリミテッド

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