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J-GLOBAL ID：200903030023288267

窒化物系化合物半導体およびその結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子

Inventor： 木村 明隆 ,  砂川 晴夫 ,  仁道 正明 ,  笹岡 千秋
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997156795
Publication number (International publication number)：1999008437
Application date： Jun. 13, 1997
Publication date： Jan. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 結晶性が良くかつクラック密度の小さく、サファイア基板上に基板とへき開面が一致する窒化ガリウム系化合物半導体層を形成するための結晶成長方法を提供し、結晶性がよく、歩留まりの高い窒化ガリウム系発光素子を実現する。【解決手段】 基板としてC面サファイア基板を用い、かつ、低温成長バッファ層としてIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0.894≦x<1)を用い、サファイア基板と高温成長エピタキシャル層のへき開面を一致させる。さらに、低温成長バッファ層の第2層としてAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0≦x<1)を用い、In<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N低温成長バッファ層中のインジウムの再蒸発を抑制する。

Claim (excerpt)：

(0001)面または(0001)面からの傾斜角が5°以内である面を表面とするサファイア基板上の表面にIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N層(0.894≦x<1)を形成する工程と、続いて窒化ガリウムまたは窒化インジウムまたは窒化アルミニウムまたはそれらの混晶を成長する工程を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-235013   Applicant：ローム株式会社