半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994235013
Publication number (International publication number)：1996097469
Application date： Sep. 29, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】サファイア基板などの表面のバッファ層の歪を一層小さくして結晶欠陥や転位の発生を抑制し、発光に寄与する半導体層への結晶欠陥や転位の進展を防止した高特性で長寿命の半導体発光素子を提供する。【構成】基板1上にバッファ層2、3を介して少なくともn型層4およびp型層6を含み発光部を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されてなる半導体発光素子であって、前記バッファ層の少なくとも前記基板側がIn、PまたはAsを含有するチッ化ガリウム系化合物半導体層からなっている。

Claim (excerpt)：

基板上にバッファ層を介して少なくともn型層およびp型層を含み発光部を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されてなる半導体発光素子であって、前記バッファ層の少なくとも前記基板側がIn、PおよびAsよりなる群から選ばれた少なくとも1種の元素を含有するチッ化ガリウム系化合物半導体層である半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-203084 Applicant：日本電信電話株式会社
特開平4-209577
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-004720 Applicant：旭化成工業株式会社

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