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J-GLOBAL ID：200903030033615371
僅かなシェージングを有する太陽電池およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
矢野 敏雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998525126
Publication number (International publication number)：2001504996
Application date： Nov. 19, 1997
Publication date： Apr. 10, 2001
Summary：
【要約】20%以上の効率を有する高出力太陽電池のために、(110)配向シリコン基板を使用し、すべての接点を裏面(RS)上に配置し、前面(VS)の電気的接続を、結晶配向的にエッチングされ、基板中の(111)面に対して平行に整列された高ドーピングスロットのパターンにより基板を通して行うことを提案する。
Claim (excerpt)：
-前面(VS)および裏面(RS)上に結晶学的(110)面を有する結晶性シリコン基板(1)、 -少なくとも前面(VS)上にドーピングされた平らなエミッタ層(5)、 -結晶学的(111)面に対して平行に整列され、シリコン基板の全厚を通して延びる多数の細長いスロット(4)、 -スロット中の、エミッタ層の導電率型に相応する高いドーピング、 -バルク材料の電気的接続のための裏面上の第一格子状接点パターン(7)、 -エミッタ層の電気的接続のための裏面上の第二格子状接点パターン(8)を有し、その際第二接点パターン(8)がスロット(4)に少なくとも部分的に重なり、およびその際 -スロット(4)は裏面(RS)から結晶学的異方性にエッチングされ、それでスロット中に(111)面(11、12)が限定表面として露出されていて、その際スロットは太陽電池の表面に対して斜めに延びる2つの壁(12)により太陽電池の前面(VS)の方へ先細になる、太陽電池。
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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