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J-GLOBAL ID：200903030059989911

近接視野顕微鏡およびそれに用いる光強度測定手段の製造方法

Inventor： シンヤ アカミネ ,  福澤 健二 ,  桑野 博喜
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994222060
Publication number (International publication number)：1996086793
Application date： Sep. 16, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 S/N比を向上させ、さらに、原子間力を利用した距離制御をS/N比の低減なしに実現できる近接顕微鏡を提供することにある。【構成】 被観測物体に対して、その波長程度で空間的に減衰するエバネッセント光を照射する手段と、被観測物体により変調されたエバネッセント光の光強度を測定する光強度測定手段と、前記被観測物体と前記光強度測定手段の相対的な位置関係を変化させる手段とを有し、前記被観測物体と前記光強度測定手段との距離が前記エバネッセント光の中心波長λ以下である走査型近接視野顕微鏡において、前記光強度測定手段が、pn接合あるいはpin接合を含む半導体素子と、該pn接合あるいはpin接合で生じる光電流を測定するための電極および配線とを含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

被観測物体に対して、その波長程度で空間的に減衰するエバネッセント光を照射する手段と、被観測物体により変調されたエバネッセント光の光強度を測定する光強度測定手段と、前記被観測物体と前記光強度測定手段の相対的な位置関係を変化させる手段とを有し、前記被観測物体と前記光強度測定手段との距離が前記エバネッセント光の中心波長λ以下である走査型近接視野顕微鏡において、前記光強度測定手段が、pn接合あるいはpin接合を含む半導体素子と、該pn接合あるいはpin接合で生じる光電流を測定するための電極および配線とを含むことを特徴とする近接視野顕微鏡。

IPC (2)：

G01N 37/00 ,  G01N 21/27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 集積型SPMセンサ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-244865   Applicant：オリンパス光学工業株式会社