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J-GLOBAL ID:200903030064351119

配線基板とその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴木 学
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997097476
Publication number (International publication number):1998289964
Application date: Apr. 15, 1997
Publication date: Oct. 27, 1998
Summary:
【要約】【課題】キャビティに搭載する半導体素子等の電子部品と、キャビティの周囲に沿って配置した多数の接続用パッドとの接続が容易且つ確実に行える配線基板を提供する。【解決手段】上表面に形成されたキャビティ部2と、複数のセラミック層10〜21を積層してなり上記キャビティ部2を囲み内周側が断面階段形状を呈する枠部3と、この枠部3における階段面4,5上に固着された多数の接続用パッド6,8と、平面視において接続用パッド6,8の略直下に位置し且つ上記枠部3を形成する何れかのセラミック層間に該セラミック層の内周縁より引き下がった位置に形成されたメタライズ層24,26と、上記メタライズ層24,26の内周縁とセラミック層の内周縁との間の引き下がり部25,27のうち少なくとも上記接続用パッド6,8の略直下に設けた絶縁層28,29とを含む配線基板1。
Claim (excerpt):
電子部品を搭載するためのキャビティ部と、複数のセラミック層を積層してなり、上記キャビティ部を囲むように形成され、内周側が断面階段形状である枠部と、少なくとも上記キャビティ部の底面をなすように枠部に固着された底部と、上記枠部の階断面上に形成され電子部品と接続するための接続用パッドと、を含む配線基板であって、上記枠部を形成する複数のセラミック層の層間のうち少なくとも1つ以上の層間に形成され、内周縁が平面視にて上記接続用パッドの略直下で且つセラミック層の内周縁より引き下がった位置に形成されたメタライズ層と、少なくとも1つ以上のメタライズ層の内周縁とセラミック層の内周縁との間の引き下がり部のうち少なくとも上記接続用パッドの略直下に設けた絶縁層と、を含むことを特徴とする配線基板。
IPC (2):
H01L 23/12 ,  H05K 3/46
FI (5):
H01L 23/12 W ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 Q ,  H01L 23/12 D ,  H01L 23/12 N
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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