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J-GLOBAL ID：200903030127021815

半導体装置

Inventor： 高橋 正志
Applicant, Patent owner： 山形日本電気株式会社
Agent (1)： 畑 泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998043301
Publication number (International publication number)：1999243066
Application date： Feb. 25, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：

【要約】【課題】 リソグラフィー条件又はイオン注入条件のみを変えることで、1枚のウエーハ上に、特性の異なる半導体装置を複数種類形成し、これを用いて、半導体装置のバラツキを少なくすることを目的とする。【解決手段】 一つのウエーハ1上に、予め決められた特性が異なる複数種類の半導体装置1A〜1Eが複数個形成されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

一つのウエーハ上に、予め決められた特性が異なる複数種類の半導体装置が複数個形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/266 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4)：

H01L 21/265 M ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 Z ,  H01L 27/04 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-041046   Applicant：山形日本電気株式会社