半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996041046
Publication number (International publication number)：1997232249
Application date： Feb. 28, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】ウェーハを有効に活用できない。【解決手段】同じレチクル1を用い、露光時間又はイオン打ち込み量を変えることにより、同じウェーハ2に特性の異なる半導体素子を形成する。

Claim (excerpt)：

同一ウェーハ上に同じレチクルを用いてパターンを形成し、少くとも2種類の特性の異なる半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/266 , H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/265 M , H01L 21/30 502 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

縮小投影露光方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-176336 Applicant：日本電気株式会社
特開昭61-036930
特開平3-209475

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