半導体デバイスの故障診断方法と装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：堀田実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004202019
Publication number (International publication number)：2006024774
Application date： Jul. 08, 2004
Publication date： Jan. 26, 2006
Summary：

【課題】チップ(半導体デバイス)にバイアス電圧を印加することなく、無バイアス下で故障診断を行うことができる半導体デバイスの故障診断方法と装置を提供する。【解決手段】無バイアス状態で保持した半導体デバイス1に所定の波長を有するパルスレーザ光2を2次元的に走査して照射する照射装置12、14と、レーザ光照射位置から放射された電磁波3を検出して、電磁波の電場振幅の時間波形に対応した時間的に変化する電圧信号に変換する検出・変換装置18と、電圧信号から半導体デバイス内の電界分布を検出しその故障診断を行う故障診断装置20とを備える。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

無バイアス状態で保持した半導体デバイスに所定の波長を有するパルスレーザ光を2次元的に走査して照射する照射工程と、レーザ光照射位置から放射された電磁波を検出して、電磁波の電場振幅の時間波形に対応した時間的に変化する電圧信号に変換する検出・変換工程と、前記電圧信号から半導体デバイス内の電界分布を検出しその故障診断を行う故障診断工程と、を有する、ことを特徴とする半導体デバイスの故障診断方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 , G01R 31/302

FI (2)：

H01L21/66 C , G01R31/28 L

F-Term (7)：

2G132AA00 , 2G132AD15 , 2G132AF14 , 2G132AL12 , 4M106BA05 , 4M106DH16 , 4M106DH32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置及びその評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-289690 Applicant：松下電工株式会社

Cited by examiner (6)

非破壊検査方法および装置ならびに半導体チップ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-081310 Applicant：日本電気株式会社
特開昭56-147444
発光素子用エピタキシャルウェーハの評価方法及び評価装置、コンピュータ読み取り可能な記録媒体並びに発光素子用エピタキシャルウェーハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-263452 Applicant：株式会社東芝

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

28p-YF-8レーザーテラヘルツ放射顕微鏡,30p-N-4テラヘルツエミッション顕微鏡によるMOS

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