発光素子用エピタキシャルウェーハの評価方法及び評価装置、コンピュータ読み取り可能な記録媒体並びに発光素子用エピタキシャルウェーハ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998263452
Publication number (International publication number)：2000101145
Application date： Sep. 17, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】励起キャリア密度によらず、本質的なライフタイムを迅速且つ非破壊で測定することができる発光素子用エピタキシャルウェーハの評価方法を提供することを目的とする。さらに、従来よりも発光効率が高い発光素子用エピタキシャルウェーハを提供することも目的とする。【解決手段】発光素子用エピタキシャルウェーハに前記励起光を照射することにより生ずるフォトルミネッセンス光の強度の時間変化が一定値以下となる時の強度の変化速度から非発光ライフタイムを導出することにより、励起キャリア密度に依存しない非発光ライフタイムを求めることができる。さらに、このようにして求めた非発光ライフタイムが20ナノ秒以上であり、または活性層への亜鉛の拡散量が1E13原子/cm2以内であることを特徴とする発光素子用エピタキシャルウェーハを提供する。

Claim (excerpt)：

発光素子用エピタキシャルウェーハに励起光を照射し、前記発光素子用エピタキシャルウェーハの活性層においてキャリアが励起されることにより生ずるフォトルミネッセンス光を検出し、前記フォトルミネッセンス光の強度の時間変化が一定値以下となる時の前記フォトルミネッセンス光の強度の変化速度から非発光ライフタイムを導出することを特徴とする発光素子用エピタキシャルウェーハの評価方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/66

FI (2)：

H01L 33/00 K , H01L 21/66 N

F-Term (20)：

4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106AB09 , 4M106BA05 , 4M106BA20 , 4M106CB01 , 4M106CB11 , 4M106CB30 , 4M106DH01 , 4M106DH12 , 4M106DH32 , 4M106DH40 , 4M106DJ21 , 4M106DJ24 , 5F041AA41 , 5F041AA46 , 5F041CA04 , 5F041CA34 , 5F041CA53 , 5F041CA77

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-053656 Applicant：富士通株式会社
半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-118718 Applicant：シャープ株式会社
エピタキシャルウェハの検査方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-202296 Applicant：日立電線株式会社

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