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J-GLOBAL ID：200903030142439010

電力用半導体装置

Inventor： 葛巻 淳彦 ,  餅川 宏
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (7)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005304774
Publication number (International publication number)：2006158185
Application date： Oct. 19, 2005
Publication date： Jun. 15, 2006
Summary：

【課題】逆回復電流に起因するスイッチング損失を減少することができ、発熱損失を減少することができ、小型化を実現することができる電力用半導体装置を提供する。【解決手段】電力用半導体装置1において、カスコード素子20の電力用半導体スイッチング素子21のソース領域と負極端子11との間に複数直列接続された第1の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ22及び第2の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ23を備え、カスコード素子20に対して電気的に並列に高速ダイオード30を備える。電力用半導体スイッチング素子21はノーマリーオン型であり、第1の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ22及び第2の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ23はノーマリーオフ型である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

正極端子に主電極の一方が接続されたノーマリーオン型の電力用半導体スイッチング素子と、 前記電力用半導体スイッチング素子の主電極の他方と負極端子との間に電気的に直列に接続されたノーマリーオフ型の複数の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタと、を備えたカスコード素子と、 前記カスコード素子と電気的に並列に接続され、前記正極端子にカソード領域が接続され、前記負極端子にアノード領域が接続された高速ダイオードと、 を備えたことを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (6)：

H02M 1/08 ,  H03K 17/687 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088

FI (4)：

H02M1/08 A ,  H03K17/687 A ,  H01L27/04 F ,  H01L27/08 311A

F-Term (36)：

5F038AV01 ,  5F038AV04 ,  5F038AV05 ,  5F038AV06 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB04 ,  5F048AC01 ,  5F048AC02 ,  5F048AC09 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5H740BA11 ,  5H740BA12 ,  5H740BA15 ,  5H740BB01 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740KK01 ,  5H740PP02 ,  5H740PP03 ,  5J055AX12 ,  5J055AX44 ,  5J055BX16 ,  5J055CX07 ,  5J055DX09 ,  5J055DX22 ,  5J055DX74 ,  5J055DX81 ,  5J055EX02 ,  5J055EY01 ,  5J055EY12 ,  5J055EY13 ,  5J055EZ07 ,  5J055GX01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 電力用半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-058414   Applicant：株式会社トーキン