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J-GLOBAL ID:200903030144801310

光デバイス及びその形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 青山 葆 (外1名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1998550108
Publication number (International publication number):2002511952
Application date: May. 18, 1998
Publication date: Apr. 16, 2002
Summary:
【要約】光デバイスは、導波路の伝送特性を決める光量子バンドギャップの特性を有する領域によって仕切られている導波路を含んでいる。前記デバイスはコンポーネントとして、例えば、波長分離マルチプレクサー、単色レーザー、及び化学センサーなどに利用できる。それは、電子部品、例えばマイクロプロセッサーのための光学バスとして利用できる。これらのデバイスは、半径2μm程度の直角の屈曲部を有する導波路形成を可能にするので、光集積回路及び光-電子集積回路に組み込むために特に適している。
Claim (excerpt):
第1光伝送性物質からなる第1領域内に形成された導波路を含む光デバイスであって、前記第1領域が一つ又は複数の第2領域によって仕切られており、前記第2領域があらかじめ定められた一つ又は複数の周波数の放射線について少なくとも部分的に非伝送性である光量子バンドギャップを生成するように配置された副領域の配列を有すると共に、前記導波路の放射線伝送特性が前記第2領域の伝送特性によって少なくとも部分的に決定される光デバイス。
IPC (9):
G02B 6/12 ,  G01N 21/77 ,  G02B 6/122 ,  G02F 1/01 ,  G02F 1/365 ,  H01L 31/02 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/17 ,  H01S 5/20
FI (10):
G01N 21/77 Z ,  G02F 1/01 C ,  G02F 1/365 ,  H01L 33/00 A ,  H01S 3/17 ,  H01S 5/20 ,  G02B 6/12 N ,  G02B 6/12 Z ,  G02B 6/12 B ,  H01L 31/02 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 低損失光及び光電子集積回路
    Gazette classification:公表公報   Application number:特願平6-516248   Applicant:マサチユセツツ・インスチチユート・オブ・テクノロジー
  • 光パルス伝送システムおよび光パルス伝送素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-103439   Applicant:株式会社日立製作所
  • 特開平2-125670
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Article cited by the Patent:
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