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J-GLOBAL ID:200903030186790970
多軸力センサ用チップとこれを用いた多軸力センサ
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
下田 容一郎
, 田宮 寛祉
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004311145
Publication number (International publication number):2006125873
Application date: Oct. 26, 2004
Publication date: May. 18, 2006
Summary:
【課題】 歪み抵抗素子と同等の熱影響を受ける位置であって応力の影響を受けない位置に温度補償用抵抗素子を設け、高精度な応力検出を行える多軸力センサ用チップと多軸力センサを提供する。【解決手段】 多軸力センサ用チップは、外力作用領域部4Aと非変形領域部4bを有する作用部4と、作用部を支持する支持部3と、作用部と支持部を連結する連結部5A〜5Dとを備える半導体基板2と、連結部の変形発生部に設けられる歪み抵抗素子Sxa1〜Sxa3,Sya1〜Sya3,Sxb1〜Sxb3,Syb1〜Syb3と、作用部の非変形領域部上に設けられる温度補償用抵抗素子11とを備えるように構成される。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
外力作用領域部と非変形領域部を有する作用部と、この作用部を支持する支持部と、前記作用部と前記支持部を連結する連結部とを備えるベース部材と、
前記連結部の変形発生部に設けられる歪み抵抗素子と、
前記作用部の前記非変形領域部上に設けられる温度補償用抵抗素子と、
を備えることを特徴とする多軸力センサ用チップ。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (32):
2F051AB10
, 2F051AC04
, 2F051DA03
, 4M112AA01
, 4M112BA01
, 4M112CA21
, 4M112CA24
, 4M112CA29
, 4M112CA30
, 4M112CA32
, 4M112CA33
, 4M112CA35
, 4M112DA03
, 4M112DA04
, 4M112DA06
, 4M112DA09
, 4M112DA10
, 4M112DA11
, 4M112DA13
, 4M112DA14
, 4M112DA15
, 4M112DA16
, 4M112EA02
, 4M112EA06
, 4M112EA07
, 4M112EA10
, 4M112EA11
, 4M112EA13
, 4M112EA18
, 4M112FA05
, 4M112GA01
, 4M112GA03
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
-
特公昭63-61609号公報
-
特許第2746298号公報
-
6軸力センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-005334
Applicant:本田技研工業株式会社
Cited by examiner (5)
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