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J-GLOBAL ID:200903030190765433
酸化物薄膜を負極活性物質として使用した二次電池
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小倉 亘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995072371
Publication number (International publication number):1996241707
Application date: Mar. 06, 1995
Publication date: Sep. 17, 1996
Summary:
【要約】【目的】 十分にリチウム化したV,Nb,W,Mo等の金属酸化物薄膜を付与し、負極活性物質として使用することにより、充放電特性に優れた二次電池を得る。【構成】 非水電解質溶液又は固体電解質を含む二次電池において、金属基板,シリコン基板又は高分子基板上に形成され、予めリチウム化した五酸化バナジウム薄膜,五酸化ニオブ薄膜,三酸化タングステン薄膜又は三酸化モリブデン薄膜を負極活性物質とし、金属基板,シリコン基板又は高分子基板上に形成された五酸化バナジウム薄膜,五酸化ニオブ薄膜,LiCoO<SB>2</SB> 薄膜,LiNiO<SB>2</SB> 薄膜,LiMn<SB>2</SB> O<SB>4</SB> 薄膜,Li<SB>x</SB> MnO<SB>4</SB> 薄膜(0.3<x<0.6)又はTiS<SB>2</SB> 薄膜を正極活性物質として組み合わせている。【効果】 より大きい充放電容量で優れたサイクル特性を示し、薄型化及び小型化が可能な二次電池となる。
Claim (excerpt):
非水電解質溶液又は固体電解質を含み、金属基板,シリコン基板又は高分子基板上に形成され、予め十分にリチウム化した五酸化バナジウム薄膜,五酸化ニオブ薄膜,三酸化タングステン薄膜又は三酸化モリブデン薄膜を負極活性物質とし、金属基板,シリコン基板又は高分子基板上に形成された五酸化バナジウム薄膜,五酸化ニオブ薄膜,LiCoO<SB>2</SB> 薄膜,LiNiO<SB>2</SB> 薄膜,LiMn<SB>2</SB> O<SB>4</SB> 薄膜,Li<SB>x</SB> MnO<SB>4</SB> 薄膜(0.3<x<0.6)又はTiS<SB>2</SB>薄膜を正極活性物質としている二次電池。
IPC (4):
H01M 4/02
, H01M 4/58
, H01M 4/66
, H01M 10/40
FI (6):
H01M 4/02 D
, H01M 4/02 C
, H01M 4/58
, H01M 4/66 A
, H01M 10/40 Z
, H01M 10/40 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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非水又は固体電解質二次電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-312563
Applicant:新技術事業団
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非水二次電池の充放電方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-263696
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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非水二次電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-178090
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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非水二次電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-171583
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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非水二次電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-171582
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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特開昭61-263069
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特開昭61-263068
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