Pat
J-GLOBAL ID:200903030212458688

ポリチオフェン類

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 吉田 研二 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003004785
Publication number (International publication number):2003268083
Application date: Jan. 10, 2003
Publication date: Sep. 25, 2003
Summary:
【要約】【課題】 薄膜トランジスタ装置のような超小形電子装置の用途に有用な、ポリチオフェン類などの半導体ポリマーを提供する。【解決手段】下記化1の構造式(III)を持つポリチオフェンであって、【化1】式中Aは側鎖であり、Bは水素又は側鎖であり、Dは二価結合基であり、a及びcは、Aが置換されたチエニレンの数を示し、bはBが置換されたチエニレンの数を示し、dは0又は1であり、nはモノマーセグメントの重合度または数を示すことを特徴とするポリチオフェン類を提供した。
Claim (excerpt):
下記化1の構造式(III)を持つポリチオフェンであって、【化1】式中Aは側鎖であり、Bは水素又は側鎖であり、Dは二価結合基であり、a及びcは、Aが置換されたチエニレンの数を示し、bはBが置換されたチエニレンの数を示し、dは0又は1であり、nはモノマーセグメントの重合度または数を示すことを特徴とするポリチオフェン類。
IPC (4):
C08G 61/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/00 ,  H01B 1/12
FI (4):
C08G 61/12 ,  H01B 1/12 F ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28
F-Term (32):
4J032BA03 ,  4J032BA21 ,  4J032BB06 ,  4J032BB09 ,  4J032BC03 ,  4J032BC12 ,  4J032CG01 ,  5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
Show all
Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • The Journal of Physical Chemistry, 19950309, 第99巻第10号, 3218-3224頁
  • Synthetic Metals, 1995, 第71巻, 2085-2086頁
Cited by examiner (2)
  • The Journal of Physical Chemistry, 19950309, 第99巻第10号, 3218-3224頁
  • Synthetic Metals, 1995, 第71巻, 2085-2086頁

Return to Previous Page