ポリチオフェン類

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田研二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003004785
Publication number (International publication number)：2003268083
Application date： Jan. 10, 2003
Publication date： Sep. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】薄膜トランジスタ装置のような超小形電子装置の用途に有用な、ポリチオフェン類などの半導体ポリマーを提供する。【解決手段】下記化1の構造式(III)を持つポリチオフェンであって、【化1】式中Aは側鎖であり、Bは水素又は側鎖であり、Dは二価結合基であり、a及びcは、Aが置換されたチエニレンの数を示し、bはBが置換されたチエニレンの数を示し、dは0又は1であり、nはモノマーセグメントの重合度または数を示すことを特徴とするポリチオフェン類を提供した。

Claim (excerpt)：

下記化1の構造式(III)を持つポリチオフェンであって、【化1】式中Aは側鎖であり、Bは水素又は側鎖であり、Dは二価結合基であり、a及びcは、Aが置換されたチエニレンの数を示し、bはBが置換されたチエニレンの数を示し、dは0又は1であり、nはモノマーセグメントの重合度または数を示すことを特徴とするポリチオフェン類。

IPC (4)：

C08G 61/12 , H01L 29/786 , H01L 51/00 , H01B 1/12

FI (4)：

C08G 61/12 , H01B 1/12 F , H01L 29/78 618 B , H01L 29/28

F-Term (32)：

4J032BA03 , 4J032BA21 , 4J032BB06 , 4J032BB09 , 4J032BC03 , 4J032BC12 , 4J032CG01 , 5F110AA30 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

米国特許第6,150,191号
米国特許第6,107,117号
米国特許第5,969,376号

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Cited by examiner (3)

ポリチオフェン類及びその調製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-006211 Applicant：ゼロックス・コーポレーション
多重ブロック共重合体を基材とする波長可変性発光ダイオード、それに適した重合体およびオリゴマー
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平6-515043 Applicant：リュークスウニヴェルシテートテグロニンゲン
導電性ポリマー/ヌクレオチドコポリマー、その製造方法及びその用途
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平6-521751 Applicant：シスバイオインターナショナル

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

The Journal of Physical Chemistry, 19950309, 第99巻第10号, 3218-3224頁
Synthetic Metals, 1995, 第71巻, 2085-2086頁

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