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J-GLOBAL ID：200903030217385107

高誘電率薄膜と半導体装置及びそれぞれの製造方法

Inventor： 大谷 成元
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994175549
Publication number (International publication number)：1996045925
Application date： Jul. 27, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 すでに半導体素子が形成されている半導体基板上に、半導体素子の特性劣化を起こさせない低温で、チタン酸ストロンチウム薄膜を形成し、高誘電率・低リーク電流特性を有するキャパシタを半導体素子と同一半導体基板上に集積化する。【構成】 半導体基板上に、低温で非晶質の酸化チタンTiO<SB>X </SB>(0<X<2)薄膜を形成し、その上にSrTiO<SB>3 </SB>膜を成膜し、酸素アニールを行うことにより、高誘電率・低リーク電流特性を有するキャパシタを半導体素子と同一半導体基板上に集積化する。

Claim (excerpt)：

主成分がSr<SB>1-X </SB>TiO<SB>3</SB>(但し、0<X<1)である表面層を有し、主成分がチタン酸ストロンチウム(SrTiO<SB>3 </SB>)である薄膜からなることを特徴とする高誘電率薄膜。

IPC (10)：

H01L 21/316 ,  C04B 35/46 ,  C23C 14/08 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 326 ,  H01L 21/314 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3)：

C04B 35/46 E ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 高誘電率誘電体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-287767   Applicant：富士通株式会社
• 強誘電体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-167859   Applicant：セイコーエプソン株式会社