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J-GLOBAL ID：200903030282819696

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
吉田 清輝

About 吉田 清輝


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002331351
Publication number (International publication number)：2004165520
Application date： Nov. 14, 2002
Publication date： Jun. 10, 2004
Summary：
【課題】斜めゲートを有するGaN系MISFETにおいて絶縁膜24のメサへの密着性を向上させることにより素子の信頼性を高くする。【解決手段】GaN系III-V族化合物半導体からなるチャネル層16の上下にソース層18及びドレイン層14が配置されている積層構造を有し、前記積層構造の側面は、所定の角度をもつ傾斜面又は垂直面になっており、前記傾斜面又は前記垂直面におけるチャネル層16の側面を含む箇所にゲート絶縁膜14を介してゲート電極が設けられている電界効果トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜14を構成する材料としてGaN系III-V族化合物半導体を酸化したものを用いる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
GaN系III-V族化合物半導体からなるチャネル層の上下にソース層及びドレイン層が配置されている積層構造を有し、前記積層構造の側面は、所定の角度をもつ傾斜面又は垂直面になっており、前記傾斜面又は前記垂直面における前記チャネル層の側面を含む箇所に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられている電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁膜を構成する材料がGaN系III-V族化合物半導体からなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2)：
H01L29/78 ,  H01L29/786
FI (4)：
H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301X ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626A
F-Term (40)：
5F110AA30 ,  5F110CC09 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF22 ,  5F110GG04 ,  5F110GG42 ,  5F110HL02 ,  5F110HL05 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HM12 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AC23 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA17 ,  5F140BB04 ,  5F140BC12 ,  5F140BD04 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BG30 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK29 ,  5F140CC10 ,  5F140CE07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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