Pat
J-GLOBAL ID：200903099887408507

接合型トランジスタ

Inventor：
上野山 雄

About 上野山 雄

, 
出口 正洋

About 出口 正洋


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000243844
Publication number (International publication number)：2002057323
Application date： Aug. 11, 2000
Publication date： Feb. 22, 2002
Summary：
【要約】【課題】 耐圧が大きく電力損失の小さい高出力パワートランジスタとして機能する接合型トランジスタを提供する。【解決手段】 電子を供給するためのエミッタ層としてn-GaN層12を設け、電子を表面側に移動させる電子移動層としてノンドープ(真性)でAl含有比xについて傾斜組成を有するAlx Ga1-x N層13(0≦x≦1)を設け、表面層として負の親和力(NEA)を有するノンドープのAlN層14を設け、AlN層14の上方に制御電極16及び収集電極21を設ける。制御電極16と収集電極との間に、AlN層14よりも電子親和力の大きい材料からなる絶縁体層20を介在させる。これにより、AlN層14から注入された電子が絶縁体層20の伝導帯を伝導して収集電極21に達するように構成された接合型トランジスタが得られる。
Claim (excerpt)：
電子を供給するためのエミッタ層と、上記エミッタ層上に設けられ、供給される電子の移動が可能に構成された電子移動層と、上記エミッタ層から上記電子移動層への電子供給量を制御する電圧を印加するための制御電極と、上記エミッタ層から供給された電子の少なくとも一部を集めるための収集電極と、上記制御電極と収集電極との間に介在し、上記電子移動層の上記制御電極に隣接する側の端部の電子親和力と同等あるいはより大きい電子親和力を有する絶縁体層とを備え、上記電子移動層から上記絶縁体層に注入された電子が上記絶縁体層の伝導帯を伝導して上記収集電極に到達するように構成されていることを特徴とする接合型トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/66 ,  H01L 29/80
FI (3)：
H01L 29/66 ,  H01L 29/80 V ,  H01L 29/80 A
F-Term (13)：
5F102FA01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL16 ,  5F102GR09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 電子素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-077455   Applicant：日本電信電話株式会社
  • 量子細線及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-208790   Applicant：株式会社日立製作所
  • トンネルトランジスタ及び記憶回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-320200   Applicant：日本電気株式会社
Show all
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
  • Electron Emission from Graded AlxGa1-xN/GaN Negative-Electron-Affinity Cold Cathodes

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM