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J-GLOBAL ID：200903030308762752

半導体装置のシリコン酸化膜の製造法

Inventor： 寶地戸 雄幸 ,  二木 剛彦
Applicant, Patent owner： 株式会社高純度化学研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992117903
Publication number (International publication number)：1993275420
Application date： Mar. 26, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 テトラエトキシシランより低温でSiO2膜を成膜でき、かつ段差被覆性、平坦化性等に優れており、さらに緻密性、クラック耐性、絶縁性等の膜質も優れた新規な液体原料を用いる半導体装置のSiO2膜の製造法を提供することを目的とする。【構成】 CVD法で半導体装置のSiO2を製造する場合、新規な液体原料としてテトラターシャリーブトキシシラン、テトラセコンダリーブトキシシラン、テトラターシャリーアミロキシシラン等の何れかを用いる。

Claim (excerpt)：

半導体装置のSiO2膜を液体原料を用いてCVD法で形成する場合、該液体原料にテトラターシャリーブトキシシラン、テトラセコンダリーブトキシシラン、テトラターシャリーアミロキシシラン等の何れかを用いることを特徴とする半導体装置のシリコン酸化膜の製造法。

IPC (4)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/314

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭64-082634
  
• 特開平4-209533
  
• P-ジクロロベンゼンの固結防止の方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-161421   Applicant：三井東圧化学株式会社
• 特開昭61-163125