プラズマ処理システムおよびその方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人明成国際特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001537771
Publication number (International publication number)：2003514389
Application date： Nov. 14, 2000
Publication date： Apr. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】【解決手段】基板を処理するためのプラズマ処理システムは、ほぼ軸対称の単一のプラズマ処理チャンバであって、処理のために内部でプラズマの発生と維持との双方が実行される、プラズマ処理チャンバを備える。プラズマ処理チャンバは、プラズマ生成用のチャンバを別途有さず、上端と下端とを有している。プラズマ処理システムは、プラズマ処理チャンバの上端に設けられた結合窓と、基板が処理のためにプラズマ処理チャンバ内に配置された際に基板によって規定される平面の上方に設けられた高周波アンテナ構成と、を備える。プラズマ処理システムは、また、基板によって規定される平面の上方に設けられた電磁石構成を備える。電磁石構成は、少なくとも1の直流電流が供給されるときに、結合窓およびアンテナに近い領域におけるプラズマ処理チャンバ内の制御可能な磁場に、半径方向の変化を生じさせるように構成されている。この半径方向の変化は、基板全体の処理の均一性に効果的に作用する。プラズマ処理システムは、また、電磁石構成に結合された直流電源を備える。直流電源は、少なくとも1の直流電流の大きさを変更することによって、アンテナに近い領域におけるプラズマ処理チャンバ内の制御可能な磁場の半径方向の変化を変更し、この結果、基板全体の処理の均一性を向上させるコントローラを有する。

Claim (excerpt)：

基板を処理するためのプラズマ処理システムであって、ほぼ軸対称の単一のプラズマ処理チャンバであって、前記処理のために内部でプラズマの発生と維持との双方が実行され、プラズマ生成用のチャンバを別途有さず、上端と下端とを有する、前記プラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバの上端に設けられた結合窓と、前記基板が前記処理のために前記プラズマ処理チャンバ内に配置された際に前記基板によって規定される平面の上方に設けられた高周波アンテナ構成と、前記基板によって規定される前記平面の上方に設けられた電磁石構成であって、少なくとも1の直流電流が供給されるときに、前記結合窓および前記アンテナに近い領域における前記プラズマ処理チャンバ内の制御可能な磁場に、前記基板全体の処理の均一性に効果的に作用する半径方向の変化を生じさせるように構成された前記電磁石構成と、前記電磁石構成に結合された直流電源であって、前記少なくとも1の直流電流の大きさを変更することによって、前記アンテナに近い前記領域における前記プラズマ処理チャンバ内の前記制御可能な磁場の半径方向の変化を変更し、この結果、前記基板全体の前記処理の均一性を向上させるコントローラを有する前記直流電源と、を備えるプラズマ処理システム。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , C23C 16/507 , H01J 37/32 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (5)：

C23C 16/507 , H01J 37/32 , H01L 21/205 , H05H 1/46 L , H01L 21/302 101 C

F-Term (24)：

4K030CA04 , 4K030CA06 , 4K030CA07 , 4K030FA04 , 4K030JA15 , 4K030KA30 , 4K030KA34 , 4K030LA15 , 4K030LA18 , 5F004AA01 , 5F004BA20 , 5F004BB07 , 5F004BB29 , 5F004BD03 , 5F004BD04 , 5F004BD07 , 5F004CA09 , 5F045AA08 , 5F045BB01 , 5F045DP02 , 5F045EH02 , 5F045EH11 , 5F045EH16 , 5F045EH19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

付着またはエッチングプロセスのためのプラズマ反応器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-153817 Applicant：アルカテル・セイテ
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-215202 Applicant：アネルバ株式会社
プラズマエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-196055 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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