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J-GLOBAL ID:200903042396616513

反応性イオンエッチング装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 八木田 茂 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997123905
Publication number (International publication number):1998317175
Application date: May. 14, 1997
Publication date: Dec. 02, 1998
Summary:
【要約】【課題】本発明の課題は、0.3μm幅以下の微細加工においてエッチストップを発生させることなくエッチングできる反応性イオンエッチング装置を提供することにある。【解決手段】本発明による反応性ドライエッチング装置においては、プラズマ発生用アンテナを並列多重巻きにして高周波電力を印加して有効な誘導電場を形成できるように構成される。
Claim (excerpt):
真空チャンバー内に放電プラズマを発生するための高周波コイルを備えたプラズマ発生手段を有し、ハロゲン系のガスを主体とする気体を真空チャンバー内に導入し、低圧でプラズマを形成するとともに導入気体を分解し、発生した原子、分子、ラジカル、イオンを積極的に利用し、プラズマに接する基板電極に交番電場或いは高周波電場を印加して電極上に載置された基板をエッチングする誘導結合放電型反応性イオンエッチング装置において、真空チャンバーの頂部を円板状の誘電体で構成し、誘電体で構成された真空チャンバーの頂部上に、放電プラズマを発生するための立てに並列多重の高周波コイルを配置したことを特徴とする反応性イオンエッチング装置。
IPC (3):
C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (3):
C23F 4/00 G ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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