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J-GLOBAL ID：200903030345977742

圧電磁器

Inventor： 中井 泰広 ,  岩下 修三 ,  林 春美 ,  福岡 修一
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998336368
Publication number (International publication number)：2000159574
Application date： Nov. 26, 1998
Publication date： Jun. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】機械的強度を向上させ、高い応力下においても使用可能である圧電磁器を提供する。【解決手段】BaBi4 Ti4 O15を主結晶相1とし、BaとTiとの複合酸化物を副結晶相2とするとともに、該副結晶相2を全量中4〜30モル%含有するもので、BaとTiとの複合酸化物がBa4 Ti13O30であることが望ましい。また、主結晶相1および/または副結晶相2中に、Mn、Fe、Ni、CoおよびCrのうち少なくとも1種が固溶していることが望ましい。さらにMn、Fe、Ni、CoおよびCrのうち少なくとも1種を、MnO2 、Fe2 O3 、NiO、CoO、Cr2 O3 換算で全量中0.05〜0.8重量%含有することが望ましい。

Claim (excerpt)：

BaBi4 Ti4 O15を主結晶相とし、BaとTiとの複合酸化物を副結晶相とするとともに、該副結晶相を全量中4〜30モル%含有することを特徴とする圧電磁器。

IPC (2)：

C04B 35/46 ,  H01L 41/187

FI (2)：

C04B 35/46 J ,  H01L 41/18 101 B

F-Term (9)：

4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA35 ,  4G031BA10 ,  4G031BA20 ,  4G031CA01 ,  4G031CA03 ,  4G031GA09 ,  4G031GA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 誘電体磁器組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-092400   Applicant：京セラ株式会社
• 結晶配向セラミックス基板及びデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-062132   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• 強誘電体薄膜、製造方法及び強誘電体薄膜を含んでなる素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-139283   Applicant：シャープ株式会社
• 特公平4-060073
  
• 特開昭50-034313