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J-GLOBAL ID:200903080854760571

結晶配向セラミックス基板及びデバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高橋 祥泰
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997062132
Publication number (International publication number):1998245298
Application date: Feb. 28, 1997
Publication date: Sep. 14, 1998
Summary:
【要約】【課題】 配向度の高い機能性薄膜を形成可能であり,かつ安価に製造可能で,大面積のものを容易に得ることができる結晶配向セラミックス基板及びこれよりなるデバイスを提供すること。【解決手段】 等方状ペロブスカイト型化合物多結晶または層状ペロブスカイト型化合物多結晶よりなると共に該多結晶における少なくとも一つの結晶面が優先配向した結晶配向セラミックス基板であって,該基板の配向度はロットゲーリング法で20%以上ある。
Claim (excerpt):
等方状ペロブスカイト型化合物多結晶または層状ペロブスカイト型化合物多結晶よりなると共に該多結晶における少なくとも一つの結晶面が優先配向した結晶配向セラミックス基板であって,該基板の配向度はロットゲーリング(Lotgering)法で20%以上あることを特徴とする結晶配向セラミックス基板。
IPC (11):
C30B 29/22 ,  H01L 23/13 ,  H01L 27/10 311 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/84 ,  H01L 37/02 ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01L 41/187 ,  H01L 43/10 ,  H01L 49/00
FI (11):
C30B 29/22 Z ,  H01L 27/10 311 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/84 Z ,  H01L 37/02 ,  H01L 39/02 ZAA W ,  H01L 39/24 ZAA W ,  H01L 43/10 ,  H01L 49/00 ,  H01L 23/12 C ,  H01L 41/18 101 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開昭61-275158
  • 特開昭63-285159
  • 超電導性シート及びその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-297917   Applicant:日本碍子株式会社
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