半導体素子の電極形成方法およびその構造

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998142673
Publication number (International publication number)：1999340569
Application date： May. 25, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】窒化物系半導体レーザのp電極材料として望ましい電極材料であるPdやNiと酸化珪素膜との密着が悪いことが原因で、p電極剥がれp電極形成時の困難・デバイス構造の制約などがあった。【解決手段】窒化物系半導体レーザのp型コンタクト層101 の表面に酸化珪素膜102 を形成し、開口部を形成したレジスト103 をマスクとして、酸化珪素膜102 に開口部を形成し、第1のp電極であるNi膜104 、106 およびPt膜105、107 を形成する。その後、レジスト103 を剥離することにより、レジスト103 上に蒸着された第1のp電極104 、105 のリフトオフを行ない、第2のp電極であるTi膜、Pt膜、Au膜を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体素子の電極コンタクト層上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にレジストを形成する工程と、前記レジストに開口部を形成する工程と、前記レジストをマスクとして前記絶縁膜をエッチングして絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記絶縁膜の開口部および前記レジスト上に第1の電極を形成する工程と、前記レジスト上の第1の電極をリフトオフにより剥離する工程と、前記絶縁膜の開口部に残った第1の電極および前記絶縁膜上に第2の電極を形成する工程とを、前記順序で少なくとも含む、半導体素子の電極形成方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 21/28

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 21/28 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭58-215088
特開昭61-003466
特開平2-109326

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