欠陥検査用半導体基板、半導体基板の検査方法および半導体基板検査用モニター装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮田金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999265145
Publication number (International publication number)：2001093951
Application date： Sep. 20, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】検査装置の機能や構成を変えることなく、欠陥を検出しやすくする欠陥検査用半導体基板を得る。【解決手段】欠陥検査用半導体基板は、半導体基板13に下地膜1を設けたもので、下地膜1は、パターン12の膜形成部22の膜面と非膜形成部23との検査光に対するコントラストが、半導体基板13表面と膜形成部22の膜面とのコントラストより大きくするようなものである。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板上に、膜形成部と非膜形成部を配置してなるパターンにおける、照射光に対する上記膜形成部と非膜形成部との下式(1) コントラスト値=|R2-R3|/(R2+R3) ・・(1)(式中、R2は膜形成部での反射率、R3は非膜形成部での反射率である。)で示されるコントラストを、上記半導体基板と上記パターンの膜形成部とのコントラストより大きくなるようにする下地膜とを備えた欠陥検査用半導体基板。

IPC (2)：

H01L 21/66 , G01N 21/956

FI (3)：

H01L 21/66 J , H01L 21/66 Y , G01N 21/956 A

F-Term (23)：

2G051AA51 , 2G051AB01 , 2G051AB02 , 2G051BA20 , 2G051CA02 , 2G051CB01 , 4M106AA08 , 4M106AA10 , 4M106AA11 , 4M106AA13 , 4M106AB07 , 4M106AB17 , 4M106AC02 , 4M106CA19 , 4M106CA39 , 4M106CA41 , 4M106DB07 , 4M106DB30 , 4M106DH12 , 4M106DH31 , 4M106DJ17 , 4M106DJ18 , 4M106DJ20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体集積回路の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-041874 Applicant：株式会社日立製作所

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