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J-GLOBAL ID：200903093872073241

半導体集積回路の製造方法

Inventor： 芝 正孝 ,  下田 篤
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997041874
Publication number (International publication number)：1998242023
Application date： Feb. 26, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体集積回路製造における検査、レビュー作業の質の向上。【解決手段】シリコン基板、あるいは、この上に何層かの成膜がなされた下地基板1上に、下層パターン2が形成されているとき、この上に形成される酸化膜の層3に、検査あるいはレビューに用いる波長で光が透過しないよう酸化膜等の層3の材料に、検査あるいはレビューに用いる波長の光を吸収するものを用いる。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路の製造方法において、特定薄膜層上のパターン、異物の光学式検査の感度あるいはパターン等の光学式観察の解像度を上げるため、上記薄膜層に検査あるいは観察に用いる波長の光を透過させない性質を持たせることを特徴とする半導体集積回路の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/66 ,  G01N 21/84

FI (4)：

H01L 21/30 574 ,  H01L 21/66 J ,  G01N 21/84 Z ,  H01L 21/30 502 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 欠陥検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-114808   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-026844
  
• 異物検査方法および異物検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-192956   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-026844