半導体装置のシリコン酸化膜形成方法およびこれを用いた素子分離方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002005050
Publication number (International publication number)：2002367980
Application date： Jan. 11, 2002
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】スピンオンガラスを利用して、アスペクト比が高くVLSI級の配線層間のギャップを埋立てることができ、CVD酸化膜と実質的に同一な特性を有する半導体装置のシリコン酸化膜形成方法を提供する。【解決手段】上面にトレンチ12が形成された基板10の上に構造式が-(SiH2NH)n-(式中、nは正の定数である)であり、ポリシラザンを含むSOG溶液を塗布して平坦なSOG膜を形成する。SOG膜を1次熱処理して酸化物に転換させ、収得した酸化物を2次熱処理して密集化させ、SOG膜を平坦な表面を有するシリコン酸化膜に形成する。アクティブ領域のシリコンが酸化されることを抑制して寸法安定性を確保することができる。

Claim (excerpt)：

上面に形成された段差部を有する半導体基板上に構造式が-(SiH2NH)n-(nは正の定数)であるポリシラザンを含むスピンオンガラス溶液を塗布して平坦なスピンオンガラス膜を形成する段階と、前記スピンオンガラス膜を1次熱処理して酸化物に転換し、前記酸化物を2次熱処理して密集化させ、前記スピンオンガラス膜を硬化して平坦な表面を有するシリコン酸化膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする半導体装置のシリコン酸化膜形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/312 , H01L 21/316 , H01L 21/3205 , H01L 21/76 , H01L 21/768

FI (5)：

H01L 21/312 C , H01L 21/316 G , H01L 21/76 L , H01L 21/88 K , H01L 21/90 Q

F-Term (48)：

5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032CA01 , 5F032CA03 , 5F032CA17 , 5F032CA23 , 5F032DA10 , 5F032DA23 , 5F032DA53 , 5F032DA74 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH19 , 5F033HH28 , 5F033MM08 , 5F033PP09 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ16 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033QQ74 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033VV16 , 5F033XX01 , 5F033XX02 , 5F058AA06 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH06 , 5F058BA09 , 5F058BA20 , 5F058BC05 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BH03 , 5F058BJ06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

トレンチ・アイソレーション構造の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-116427 Applicant：日本電気株式会社

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