トレンチ・アイソレーション構造の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：泉克文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998116427
Publication number (International publication number)：1999307626
Application date： Apr. 27, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】アイソレーション溝の内部に埋設される絶縁膜にボイド、クラック、窪みなどの欠陥を生じないトレンチ・アイソレーション構造の形成方法を提供する。【解決手段】スピンコーティング法により、過水素化シラザン重合体溶液を半導体基板1の表面に塗布し、基板1に形成したアイソレーション溝3の内部を埋設する過水素化シラザン重合体溶液の塗膜7を形成する。その過水素化シラザン重合体の塗膜7を化学反応させて二酸化シリコン膜4を形成する。その後、二酸化シリコン膜4を選択的に除去して、その二酸化シリコン膜4のアイソレーション溝3の内部に埋設された部分のみを残す。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面にアイソレーション溝を形成する第1工程と、スピンコーティング法により過水素化シラザン重合体溶液を前記半導体基板の表面に直接または他の膜を介して塗布し、前記アイソレーション溝の内部を埋設する過水素化シラザン重合体溶液の塗膜を形成する第2工程と、前記過水素化シラザン重合体の塗膜を化学反応させて酸化シリコン膜を形成する第3工程と、前記酸化シリコン膜を選択的に除去してその酸化シリコン膜の前記アイソレーション溝の内部に埋設された部分を残す第4工程とを備え、前記酸化シリコン膜の前記アイソレーション溝の内部に埋設された部分が、トレンチ・アイソレーション構造のアイソレーション用絶縁物として機能するようにしたことを特徴とするトレンチ・アイソレーション構造の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/76 , H01L 21/316

FI (2)：

H01L 21/76 L , H01L 21/316 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭61-048935
特開昭59-189650
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-042772 Applicant：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス

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