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J-GLOBAL ID：200903030418847680

反応ガス供給ポート

Inventor： 示野 和弘 ,  池田 文秀
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 三好 祥二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993193108
Publication number (International publication number)：1995029833
Application date： Jul. 08, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体製造装置の反応室に複数の反応ガスを供給した場合の混合の均一性を向上させる。【構成】複数のガス導入管6,7がそれぞれ連通する複数のガス溜孔11,12と、該各ガス溜孔と反応容器1内を連通する連通孔14,15とを具備し、複数の導入管から導入された複数の反応ガスは、先ずそれぞれガス溜孔に流入し、更にガス溜孔の連通孔から分散されて反応容器内に流出し、複数の連通孔から流出した反応ガスは、流出後直ちに均一に混合する。

Claim (excerpt)：

複数のガス導入管がそれぞれ連通する複数のガス溜孔と、該各ガス溜孔と反応容器内を連通する連通孔とを具備したことを特徴とする反応ガス供給ポート。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/52

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-230227
  
• 半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-315103   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭63-079328