Pat
J-GLOBAL ID：200903030421770923
半導体レーザ素子
Inventor：
,
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993064013
Publication number (International publication number)：1994275915
Application date： Mar. 23, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：
【要約】【目的】 発振しきい値電流が低く、且つ温度特性に優れた短波長化が容易な半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【構成】 n型GaAs基板1と、該基板1の一主面上に形成されたn型(AlxaGa1-xa)0.5In0.5Pクラッド層3と、該n型クラッド層3上に形成された(AlpGa1-p)qIn1-qP引張り歪量子井戸層を有する量子井戸構造からなる活性層5と、該活性層5上に形成されたp型(AlxbGa1-xb)0.5In0.5Pクラッド層7と、該p型クラッド層7上に形成された(AltGa1-t)uIn1-uP量子井戸層と(AlvGa1-v)wIn1-wP量子障壁層とが交互に積層されてなるp型多重量子障壁構造層8と、該多重量子障壁構造層8上に形成されたp型(AlxcGa1-xc)0.5In0.5Pクラッド層9とを備え、前記主面が{100}面から[011]方向に9度〜14度傾斜した面である構成とした。
Claim (excerpt)：
第1導電型のGaAs基板と、該基板の一主面上に形成された第1導電型の(AlxaGa1-xa)0.5In0.5Pクラッド層と、該第1導電型のクラッド層上に形成された(AlpGa1-p)qIn1-qP引張り歪量子井戸層を有する量子井戸構造からなる活性層と、該活性層上に形成された第2導電型の(AlxbGa1-xb)0.5In0.5Pクラッド層と、該第2導電型のクラッド層上に形成された(AltGa1-t)uIn1-uP量子井戸層と(AlvGa1-v)wIn1-wP量子障壁層とが交互に積層されてなる多重量子障壁構造層と、該多重量子障壁構造層上に形成された第2導電型の(AlxcGa1-xc)0.5In0.5Pクラッド層とを備え、前記GaAs基板の一主面が{100}面から[011]方向に9度〜14度傾斜した面であることを特徴とする半導体レーザ素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
Show all
Return to Previous Page
