Pat
J-GLOBAL ID：200903030429433373

窒化物半導体素子及びその製造方法

Inventor：
豊田 達憲

About 豊田 達憲


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999330508
Publication number (International publication number)：2001148508
Application date： Nov. 19, 1999
Publication date： May. 29, 2001
Summary：
【要約】【課題】従来の窒化物半導体を用いた素子では、困難であった高機能でありながらアニーリングの制御性に優れ、素子ばらつきの少ないn型電極を有する窒化物半導体素子及びその製造を提供する。【解決手段】n型導電性を有する窒化物半導体上に、電極が設けられた窒化物半導体素子であって、前記電極が、Wを有する第1の層、該第1の層の上にAlを有する第2の層、該第2の層の上にPtを有する第3の層、該第3の層の上にAu若しくはPtを有する第4の層であると共に、該第4の層でもって前記電極が電気的に接続されることを特徴とする。このことにより、薄膜の多層膜からなるn型電極を有していても、各元素拡散の制御を容易にし、且つ密着性、オーミック性に優れるn型電極を有する窒化物半導体素子となる。
Claim (excerpt)：
n型導電性を有する窒化物半導体上に、電極が設けられた窒化物半導体素子であって、前記電極が、Wを有する第1の層、該第1の層の上にAlを有する第2の層、該第2の層の上にPtを有する第3の層、該第3の層の上にAu若しくはPtを有する第4の層であると共に、該第4の層でもって前記電極が電気的に接続されることを特徴とする窒化物半導体素子。
F-Term (9)：
5F041AA21 ,  5F041AA25 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM