不揮発性半導体回路

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993140329
Publication number (International publication number)：1994349289
Application date： Jun. 11, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【構成】不揮発性半導体メモリセルをマトリックス状に配列したメモリアレイのデータ線とソース線の間に接続された複数個のメモリセルと並列にMOSトランジスタ1,2を形成し、電子の引き抜き動作時には、予め、MOSトランジスタ1,2を介して、ソース線若しくはデータ線を充電する。【効果】電子の引き抜き動作における非選択状態のメモリセルのしきい値電圧変動を防止することができる。

Claim (excerpt)：

電気的に浮遊ゲートへの書込み消去が可能な不揮発性半導体メモリセルをマトリックス状に配置したメモリアレイを備え、データ線とソース線の間に接続された複数個の前記不揮発性半導体メモリセルと、前記不揮発性半導体メモリセルに対して並列に接続されたMOSトランジスタを介して各データ線がソース線に接続されていることを特徴とする不揮発性半導体回路。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-257598 Applicant：三菱電機株式会社
特開平3-156798
特開平3-187263

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Cited by examiner (9)

不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-257598 Applicant：三菱電機株式会社
特開平3-156798
特開平3-187263

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