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J-GLOBAL ID：200903030677825440

半導体装置

Inventor： 山田 浩 ,  本間 荘一 ,  斉藤 雅之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995333074
Publication number (International publication number)：1997172020
Application date： Dec. 21, 1995
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】【目的】 半導体チップ上に形成されるバンプ電極高さ分布を最適化することにより半導体ウエハでの検査が容易な信頼性に優れた半導体装置を形成する。【構成】 バンプ電極の高さが、半導体ウエハ上では、その中心部から外周部方向に対して段階的に小さくなっており、あるいは、半導体チップ上では、バンプ電極径が同一でない半導体チップ上のバンプ電極高さ比が0.8<h<SB>n </SB>/h<SB>n-1</SB><1.2の範囲内である。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハ、該半導体ウエハ上に設けられた複数のボンディングパッド、及び該ボンディングパッド上に形成されたバンプ電極を有し、前記バンプ電極の高さが前記半導体ウエハの中心部から外周部方向に対して、段階的に小さくなっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (2)：

H01L 21/92 602 Q ,  H01L 21/60 311 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-258128
  
• 半導体装置の電極形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-319489   Applicant：株式会社デンソー