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J-GLOBAL ID：200903030707889561

レーザ内部スクライブ方法

Inventor： 黒木 泰宣 ,  山崎 豊 ,  梅津 一成
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (2)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005365920
Publication number (International publication number)：2007167875
Application date： Dec. 20, 2005
Publication date： Jul. 05, 2007
Summary：

【課題】シリコン基板やガラス基板等の加工対象物の内部にパルス幅がピコ秒からフェムト秒の範囲のレーザ光を集光して、加工対象物の分割が容易に行えると共に、短時間に分割が可能なレーザ内部スクライブ方法を提供する。【解決手段】石英ガラス基板1の内部に集光点50を合わせて、パルス幅がピコ秒からフェムト秒の範囲のレーザ光LBが照射され、レーザ光LBに対して石英ガラス基板1を分割予定線に沿って相対移動し、石英ガラス基板1の内部に、多光子吸収による改質領域51が、石英ガラス基板1の表面2,3に対して斜めに形成される。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記レーザ光に対して前記加工対象物を分割予定線に沿って相対移動し、前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成するレーザ内部スクライブ方法であって、 前記加工対象物の内部にパルス幅がピコ秒からフェムト秒の範囲の前記レーザ光が照射され、 前記改質領域が、前記加工対象物の厚さ方向に対して斜めに形成されることを特徴とするレーザ内部スクライブ方法。

IPC (4)：

B23K 26/40 ,  B23K 26/04 ,  B28D 5/00 ,  C03B 33/09

FI (4)：

B23K26/40 ,  B23K26/04 A ,  B28D5/00 Z ,  C03B33/09

F-Term (15)：

3C069AA03 ,  3C069BA08 ,  3C069CA03 ,  3C069CA11 ,  3C069EA01 ,  4E068AD00 ,  4E068AE00 ,  4E068CA01 ,  4E068CA11 ,  4E068DA10 ,  4E068DB13 ,  4G015FA06 ,  4G015FB01 ,  4G015FC02 ,  4G015FC14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• レーザ加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-278768   Applicant：浜松ホトニクス株式会社

Cited by examiner (1)

• レーザ加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-278768   Applicant：浜松ホトニクス株式会社