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J-GLOBAL ID：200903030710143368

圧電素子およびその製造方法

Inventor： 山口 祥司 ,  小野里 陽正
Applicant, Patent owner： 日立建機株式会社
Agent (1)： 梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995207409
Publication number (International publication number)：1997037392
Application date： Jul. 21, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 材料の内部探傷に必要な感度を有する圧電素子を提供する。【解決手段】 基板上に形成された下部電極、該下部電極膜上に形成された酸化亜鉛薄膜及び該酸化亜鉛薄膜上に形成された上部電極を有する圧電素子において、基板としてサファイアを使用し、酸化亜鉛薄膜のc軸配向性(σZnO)の値が、0 ゚<σZnO≦2.5 ゚、好ましくは0 ゚<σZnO≦1.5 ゚であり、下部電極が金(Au)薄膜からなり、該Au薄膜のc軸配向性(σAu)の値が、0 ゚<σAu≦4.5 ゚、好ましくは0 ゚<σAu≦2.2 ゚である圧電素子。この圧電素子は表面探査又は内部探査のための超音波非破壊検査用プローブとして使用される。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された下部電極、該下部電極膜上に形成された酸化亜鉛薄膜及び該酸化亜鉛薄膜上に形成された上部電極を有する圧電素子において、基板としてサファイアを使用し、酸化亜鉛薄膜のc軸配向性(σZnO)の値が、0 ゚<σZnO≦2.5 ゚であることを特徴とする圧電素子。

IPC (12)：

H04R 17/00 330 ,  C01G 7/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/35 ,  G01L 1/16 ,  G01N 29/24 ,  H01L 21/203 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22

FI (13)：

H04R 17/00 330 ,  C01G 7/00 ,  C23C 14/08 C ,  C23C 14/08 N ,  C23C 14/34 R ,  C23C 14/35 Z ,  G01L 1/16 ,  G01N 29/24 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/08 Z ,  H01L 41/18 101 A ,  H01L 41/22 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• サファイア面上の酸化亜鉛圧電結晶膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-215091   Applicant：株式会社村田製作所

Cited by examiner (1)

• サファイア面上の酸化亜鉛圧電結晶膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-215091   Applicant：株式会社村田製作所