多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995049490
Publication number (International publication number)：1996250735
Application date： Mar. 09, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 450°C程度以下の製造プロセスで、安定性および耐久性が高いシリコン酸化膜を形成し、TFTとしての高い動作特性および信頼性を実現できる、多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【構成】レーザ光あるいは加熱用ランプの光をシリコン層102に向けて照射すると、この光は一旦、シリコン層102に吸収される。そしてシリコン層102は自体の加熱された部分の温度が上昇しその部分の多結晶シリコン化が進むとともに、シリコン層102と接しているシリコン酸化膜103へと熱が伝導しその熱によってシリコン酸化膜103もデンシファイされる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上にシリコン層を形成する工程と、前記シリコン層上にシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜上から光を前記シリコン層に照射して該シリコン層に吸収される熱を前記シリコン酸化膜に伝導させて、該シリコン酸化膜の温度を上昇させ、該シリコン酸化膜のデンシファイを行なう工程と、を含むことを特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12

FI (4)：

H01L 29/78 617 V , H01L 21/20 , H01L 21/268 Z , H01L 27/12 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭62-119974
薄膜状半導体装置の作製方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-191934 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭63-314862

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