半導体装置の作成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994133632
Publication number (International publication number)：1995321335
Application date： May. 24, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】ニッケルを用いて、通常よりも低温、短時間の加熱処理で結晶性珪素を得る方法において、加熱処理とレーザー光の照射を併用する。【構成】ガラス基板101上に形成された酸化珪素膜102上に非晶質珪素膜103を形成する。さらに、前記非晶質珪素膜103上にニッケル含有層104を設け550°C、4時間程度の加熱処理をおこない結晶性珪素膜105を得る。その後、島状領域106を形成し、該島状領域上にゲイト絶縁膜107を成膜する。そして、レーザーアニールをおこない、結晶性珪素膜の結晶性と、ゲイト絶縁膜の膜質を高める。以上のようにして作成した、結晶性の良い珪素膜と膜質のよいゲイト絶縁膜を用いることにより、高い特性を有する半導体装置を作成することができる。

Claim (excerpt)：

非晶質珪素膜に実質的に接して、ニッケルもしくはニッケル化合物層を形成する工程と、熱アニールを施し、前記非晶質珪素膜を結晶化させる工程と、結晶化した珪素膜をエッチングし、島状珪素領域を形成する工程と、該島状珪素領域上にゲイト絶縁膜である酸化珪素膜を成膜する工程と、該工程の後にレーザー光またはそれと同等な強光を照射し、前記珪素膜の結晶性と前記酸化珪素膜の膜質を向上せしめる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作成方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/26 , H01L 21/324

FI (2)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 21/26 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平2-140915
特開昭62-119974
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-304681 Applicant：株式会社東芝

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