多層導電膜の形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996319045
Publication number (International publication number)：1997183181
Application date： Mar. 19, 1996
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】薄膜で良好な導電性を示し、しかも経時劣化が少なく保存安定性に優れた導電膜の形成方法を提供する。【解決手段】銀系薄膜(11)をベースとし、その両面に酸化インジウムと銀との固溶域を実質的に持たない金属元素の酸化物との混合酸化物からなる透明酸化物薄膜(12,13)を具備する多層導電膜をデポジション技術により形成する。

Claim (excerpt)：

第1の面および該第1の面と対向する第2の面を有する銀系金属材料からなる銀系薄膜、該銀系薄膜の第1の面上に形成された第1の透明酸化物薄膜、および該銀系薄膜の第2の面上に形成された第2の透明酸化物薄膜を備え、該第1および第2の透明酸化物薄膜は、それぞれ独立して、インジウム酸化物からなる第1の金属酸化物材料と、銀との固溶域を実質的に持たない金属元素の酸化物からなる第2の金属酸化物材料とを含有する混合酸化物で形成されている多層導電膜をデポジション技術を用いた形成することを特徴とする多層導電膜の形成方法。

IPC (7)：

B32B 9/00 , B32B 7/02 103 , B32B 7/02 104 , B32B 15/01 , B32B 15/04 , C23C 14/08 , G02F 1/1343

FI (9)：

B32B 9/00 A , B32B 7/02 103 , B32B 7/02 104 , B32B 15/01 E , B32B 15/04 Z , C23C 14/08 N , C23C 14/08 D , C23C 14/08 E , G02F 1/1343

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平2-037326
特開平2-251428
特開平4-340522

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