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J-GLOBAL ID:200903030836078197
酸化物超電導体及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
今井 毅
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998361722
Publication number (International publication number):2000178025
Application date: Dec. 18, 1998
Publication date: Jun. 27, 2000
Summary:
【要約】【課題】 電磁力や熱歪等の内外力や腐食環境に影響されずに高い捕捉磁場の確保や長期にわたる性能維持が可能な酸化物超電導体及びその製造法を提供する。【解決手段】1) 酸化物超電導体を、図2に例示する如く、樹脂含浸層を有した酸化物超電導バルク体(例えば希土類系銅酸化物超電導バルク体)から成る構成とする。なお、バルク体に適量のAgを添加しても良い。この酸化物超電導体は、減圧雰囲気下に保持した酸化物超電導バルク体と液状樹脂とを接触させて酸化物超電導バルク体に樹脂を含浸させることによって作成することができる。
Claim (excerpt):
樹脂含浸層を有した酸化物超電導バルク体から成ることを特徴とする、酸化物超電導体。
IPC (3):
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00
, H01F 7/00
FI (3):
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00 S
, H01F 7/00
F-Term (5):
4G047JA02
, 4G047JC03
, 4G047KC05
, 4G047LA02
, 4G047LA06
Patent cited by the Patent: