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J-GLOBAL ID：200903030900442469
プラズマCVD法および半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992262784
Publication number (International publication number)：1994013332
Application date： Sep. 07, 1992
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高融点金属の珪化物をシリコンの部分のみに選択的に、かつ、均一に成長させることを目的とする。【構成】 不活性ガスのプラズマがプラズマ発生室1で安定して生成され、そのプラズマがアパーチャ板5を介して反応室6に小量漏れ込む。この小量のプラズマの補助により基板7上に高融点金属の珪化物を気相成長させる。
Claim (excerpt)：
シリコン面を含む基板を加熱し、高融点金属と塩素との化合物からなる原料ガスを含むガスの低密度プラズマを発生させ、前記基板上のシリコン面のみに選択的に前記高融点金属の珪化物を形成することを特徴とするプラズマCVD法。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C23C 16/42
, H05H 1/46
Cited by examiner (6)
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