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J-GLOBAL ID：200903030936666908

CVD薄膜形成装置

Inventor： 井上 直樹 ,  中岡 春雪 ,  東 秀樹 ,  柳澤 徹 ,  森川 茂 ,  小林 孝 ,  佐伯 登 ,  坂井 久
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 北村 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993010401
Publication number (International publication number)：1994224131
Application date： Jan. 26, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 複数種の金属化合物ガスと酸化性ガスとを薄膜形成室内に供給し、薄膜形成室内に配設された基板上に金属酸化物薄膜を形成するCVD薄膜形成装置において、複数種の金属化合物ガスを再凝固あるいは分解による生成物形成を起こすことなく薄膜形成室に供給することができ、組成の均一な良好な膜を得ることができる薄膜形成装置を得る。【構成】 薄膜形成室6に連通連結されるとともに、複数種の金属化合物ガスg1が各別に供給されて予混合される予混合管7と、予混合管7を、複数種の金属化合物夫々の気化温度よりも高く、前記金属化合物の熱分解温度よりも低い温度に維持する保温手段16を備え、酸化性ガスg2を薄膜形成室6に導く酸化性ガス供給手段8を設けて構成する。

Claim (excerpt)：

基板(3)の表面に薄膜(4)をCVD法により形成するCVD薄膜形成装置であって、原料ガスとしての複数種の有機金属化合物ガス(g1)が薄膜形成室(6)内に配設される基板近傍に導かれる前に予混合される予混合管(7)を備え、前記予混合管(7)を、前記複数種の有機金属化合物夫々の気化温度よりも高く、熱分解温度よりも低い温度に維持する保温手段(16)を設け、酸化性ガス(g2)を前記薄膜形成室(6)に直接導く酸化性ガス供給手段(8)を設けたCVD薄膜形成装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/44

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• アンローダ弁
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-136120   Applicant：有光工業株式会社
• 特開平3-088702