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J-GLOBAL ID：200903030936985922

磁気抵抗効果ヘッド

Inventor： 岩崎 仁志 ,  上口 裕三 ,  橋本 進 ,  船山 知己 ,  福家 ひろみ ,  秋山 純一 ,  斉藤 和浩 ,  大沢 裕一 ,  近藤 玲子
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995045507
Publication number (International publication number)：1995307013
Application date： Mar. 06, 1995
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 線分解能(再生分解能)の向上を図った上で、高感度および高S/N比を高信頼性の下で実現した差動動作型の磁気抵抗効果ヘッドを提供する。【構成】 一対のGMR強磁性層4a、4bと、これら一対のGMR強磁性層4a、4b間に介在されたGMR非磁性中間層5とを有する積層構造により、GMR素子部7が構成されている。一対のGMR強磁性層4a、4bの外側には、信号磁界検出用強磁性層3a、3bを配置することができる。GMR素子部は、非磁性中間層を介して配置された一対のGMR強磁性層とその間に非磁性中間層を介して配置された少なくとも 1層の低透磁率強磁性層とを有する積層構造や、グラニュラー型強磁性中間層により構成することもできる。GMR素子部7は、一対のGMR強磁性層4a、4bに互いに逆方向の信号磁界が印加される場合に変化する抵抗を感知し、差動動作型の出力応答を示す再生ヘッドとして動作する。

Claim (excerpt)：

少なくとも一対の強磁性層と、前記一対の強磁性層間に介在され、非磁性中間層および磁性領域と非磁性領域とに分離したグラニュラー型強磁性中間層のいずれかからなる中間層とを有する積層構造を有し、前記一対の強磁性層に互いに逆方向の信号磁界が印加される場合に抵抗が実質的に変化する磁気抵抗効果素子部を具備する差動動作型の磁気抵抗効果ヘッドであって、前記磁気抵抗効果素子部のスピン依存散乱による巨大磁気抵抗効果に基く抵抗変化を利用して信号磁界が検知されることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 磁気抵抗効果型ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-053495   Applicant：株式会社東芝
• 多層磁気抵抗効果膜およびこれを用いた磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-170937   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平2-046515