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J-GLOBAL ID：200903030999821288
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000328179
Publication number (International publication number)：2002134451
Application date： Oct. 27, 2000
Publication date： May. 10, 2002
Summary：
【要約】【課題】 従来、半導体素子領域の形成工程において各熱処理工程での熱歪みや窒化膜の線膨張係数の違いからウエファに反りが生じる。最近のウエファ薄膜化に伴い、ウエファ仕上げ厚みが150μm以下のものについてはB/G研削時に、この反りによりウエファダメージ割れが多く発生していた。【解決手段】 組立工程で使用するダイシングストリート上をプラズマ処理によりエッチングして溝を設ける。これにより、反りの原因である引張り応力が分断され、B/G研削前に反りが低減されるため、テーブルとウエファの密着性が良くなり、ウエファ仕上げ厚みを従来より薄くしてもウエファ割れや、ダメージによる不良を大幅に低減できる。
Claim (excerpt)：
半導体素子領域形成後、ウエファ裏面を研削して所望の仕上げ厚みにする半導体装置の製造方法において、ダイシングストリートに溝を設けて前記研削をすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/304 631
, H01L 21/301
H01L 21/304 631
, H01L 21/78 S
Cited by examiner (5)
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