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J-GLOBAL ID：200903031011167770

炭素でド-ピングした接触層を含む光学装置

Inventor： ウトパル クマー チャクラバーティ ,  ロバート アラン ハム ,  ジョセフ ブリアン セイラー ,  グレブ イー. シュテングル ,  ローレンス エドウィン スミス
Applicant, Patent owner： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
Agent (1)： 岡部 正夫 (外11名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999165298
Publication number (International publication number)：2000031580
Application date： Jun. 11, 1999
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、被覆領域(15)および導波領域(14)内でのZnの問題を緩和する光学装置およびその製造方法である。【解決手段】 接触領域(16)は、二つの成分からなる材料でpタイプのドーピング剤としての働きをする炭素を含む。

Claim (excerpt)：

光学装置(10)であって、導波領域、導波領域と低い抵抗で接触するように、十分な電気伝導度を達成するために、炭素からなるpタイプのドーピング剤を含む接触領域上に形成された、InGaAsおよびInGaAsPから選択した半導体接触領域(16)を特徴とする半導体導波領域(14)と、前記導波領域に隣接して形成された、Znからなるドーピング剤を含む被覆領域(15)を備える装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-214190
  
• 半導体発光装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-266396   Applicant：富士通株式会社
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-291337   Applicant：シャープ株式会社
• 特開昭61-258487