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J-GLOBAL ID：200903053743717440

半導体レーザ素子

Inventor：
辰巳 正毅

About 辰巳 正毅

, 
松本 晃広

About 松本 晃広


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996291337
Publication number (International publication number)：1998135567
Application date： Nov. 01, 1996
Publication date： May. 22, 1998
Summary：
【要約】【課題】 半導体レーザ素子において、従来使用されているII族元素であるMg、Zn、Beなどのp型ドーパントでは、拡散係数が大きいため高濃度ドーピングができないという問題があった。なぜなら、活性層まで拡散が起こると、活性層内部に非発光センターを形成するために、発光効率が低下し、信頼性に対して悪影響を及ぼし、また、コンタクト層からの拡散によるキャリア濃度の低下で動作電圧増大の問題を生じる。また、p型ドーパントとして拡散係数が小さいカーボンは、拡散効率を上げるため低温で成長させる必要があるが、その場合に半導体に結晶欠陥が生じるため、非発光センターを形成する問題があった。【解決手段】 本発明では、第2導電型のコンタクト層108のドーパントはカーボンであり、前記第2導電型のクラッド層106、107のドーパントはII族元素とした半導体レーザー素子を提供することによって、低動作電圧で駆動でき、電流光特性の良好な半導体レーザ素子を提供する。
Claim (excerpt)：
第1電型の半導体基板上方に、活性層と、第2導電型のクラッド層とが形成され、前記第2導電型のクラッド層の上に、第2導電型のコンタクト層を有するIII-V族化合物半導体からなる半導体レーザ素子において、前記第2導電型のコンタクト層のドーパントのみカーボンであることを特徴とする半導体レーザー素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
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