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J-GLOBAL ID：200903031033568272

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
金子 佐一郎

About 金子 佐一郎


Applicant, Patent owner：
日産自動車株式会社

About 日産自動車株式会社


Agent (1)： 三好 秀和 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001218555
Publication number (International publication number)：2003031802
Application date： Jul. 18, 2001
Publication date： Jan. 31, 2003
Summary：
【要約】【課題】 オン抵抗を低減することのできる電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することが課題である。【解決手段】 P+ 型SiC基板210上にP- 型SiCエピタキシャル領域220が積層されたウエハと、ウエハ表面の所定部位ウエハの内部に注入して形成されるドレイン領域230、及びソース領域240と、ドレイン領域230とソース領域240との間に形成されるチャネル領域380と、ドレイン領域230に形成されるドレイン電極290と、ソース領域240に形成されるソース電極300と、チャネル領域380に対し、ゲート絶縁膜270を介して形成されるゲート電極280と、を有して構成される。そして、チャネル領域380は、P- 型ゲート半導体領域250と、N- 型埋込チャネル領域260、及びP- 型ボディ半導体領域252から構成される。
Claim (excerpt)：
珪素よりもバンドギャップの広いワイドバンドギャップ半導体を有する半導体基板と、前記半導体基板の表面の所定部位に形成されるドレイン領域、及びソース領域と、前記ドレイン領域とソース領域との間に形成され、ゲート電圧によってチャネルが形成されるチャネル領域と、前記ドレイン領域に形成されるドレイン電極と、前記ソース領域に形成されるソース電極と、前記チャネル領域に対し、ゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極と、を具備し、前記チャネル領域は、第1導電型のゲート半導体領域と、第2導電型の埋込チャネル領域と、第1導電型のボディ半導体領域からなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (4)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/786
FI (6)：
H01L 29/78 652 E ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 F
F-Term (62)：
5F110AA07 ,  5F110AA11 ,  5F110BB12 ,  5F110CC02 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD22 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110GG30 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG36 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110GG52 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ06 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK02 ,  5F110HK11 ,  5F110HK13 ,  5F110HK25 ,  5F110QQ17 ,  5F140AA05 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AC02 ,  5F140AC22 ,  5F140AC23 ,  5F140AC36 ,  5F140AC40 ,  5F140BA02 ,  5F140BB06 ,  5F140BB15 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BE01 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE15 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF43 ,  5F140BG27 ,  5F140BG37 ,  5F140BH05 ,  5F140BH21 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-280588   Applicant：株式会社東芝

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