半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997280588
Publication number (International publication number)：1998321854
Application date： Oct. 14, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】SiCを主構成材料としたMOSトランジスタのMOS界面における表面散乱によるオン抵抗の増大を防止すること。【解決手段】6H-SiCからなるp型SiC層1上に、それよりも伝導帯の底から真空準位までのエネルギー差が小さい4H-SiCからなる第2のp型SiC層2が積層された積層半導体膜上に、ゲート絶縁膜3を介してゲート電極4を設けた絶縁ゲート構造を用いる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の表面上に形成され、それ自体の伝導帯の底から真空準位までのエネルギー差が前記第1の半導体層のそれより小さい第1導電型の第2の半導体層と、前記第2の半導体層上にゲート絶縁膜を介して配設されたゲート電極と、前記ゲート電極下にチャネル領域を形成するように、少なくとも前記第1の半導体層に接し、前記第1の半導体層の前記表面内で互いに対向するように設けられた1対の第2導電型の第3の半導体層と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/205

FI (6)：

H01L 29/78 301 B , H01L 21/205 , H01L 29/78 652 C , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 653 C , H01L 29/78 658 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

絶縁ゲート型炭化ケイ素半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-255211 Applicant：富士電機株式会社
MIS形電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-259449 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-216930 Applicant：株式会社日立製作所

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