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J-GLOBAL ID：200903031040754960

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 堀 敦 ,  海本 博之
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (10)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005125522
Publication number (International publication number)：2005260264
Application date： Apr. 22, 2005
Publication date： Sep. 22, 2005
Summary：

【課題】 リーク電流が小さくかつ電流駆動能力に優れたMT-MOS構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の基板領域1aの上には、ゲート絶縁膜7,ゲート電極8,サイドウォール13,ソース・ドレイン領域14,LDD領域11及びポケット領域9を有する第1,第2nMOSFETが設けられている。第1nMOSFETのみ、基板領域1aよりも高濃度のp型チャネル領域4をさらに備えている。第1nMOSFETの反転電圧は、チャネル領域4及びポケット領域9の不純物濃度によって定まる。第2nMOSFETの反転電圧は、基板領域1aとポケット領域9の不純物濃度によって定まるので、低濃度の基板領域1aをチャネル領域として利用することで、空乏層容量が小さくなり、サブスレッショルド特性を改善し、リーク電流を低減できる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板の一部に形成されたnMISFETを少なくとも有する半導体装置において、 上記nMISFETは、 上記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、 上記ゲート絶縁膜の上に形成され、少なくともフッ素を含む不純物と燐とが導入されたゲート電極と、 上記半導体基板の上記ゲート電極の両側方に位置する領域に形成され、少なくともフッ素を含む不純物と燐とが導入されたn型ソース・ドレイン領域とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

FI (5)：

H01L29/78 301P ,  H01L21/28 A ,  H01L27/08 321C ,  H01L29/78 301S ,  H01L27/08 102B

F-Term (74)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB25 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104DD26 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104DD83 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF14 ,  4M104FF32 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AA08 ,  5F048AA09 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB15 ,  5F048BB17 ,  5F048BB18 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F048DA25 ,  5F140AA01 ,  5F140AA02 ,  5F140AA18 ,  5F140AA21 ,  5F140AA24 ,  5F140AB01 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF38 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG37 ,  5F140BG42 ,  5F140BG43 ,  5F140BG44 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BH22 ,  5F140BH33 ,  5F140BH35 ,  5F140BH36 ,  5F140BK02 ,  5F140BK10 ,  5F140BK12 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK22 ,  5F140CF04 ,  5F140CF07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-085926
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-325180   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平4-085926