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J-GLOBAL ID：200903031089399422

イオン注入でダイヤモンド膜中にn型導電性の領域を狙い通りに作製する方法

Inventor： ヘーラ・フィートン ,  スコルパ・ヴォルフガング
Applicant, Patent owner： フォルシュングスツェントルム・ロッセンドルフ・エー・ファウ
Agent (1)： 江崎 光史 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1999506136
Publication number (International publication number)：2002508115
Application date： Jul. 10, 1998
Publication date： Mar. 12, 2002
Summary：

【要約】この発明は、イオン注入法でドープされ、n型導電性領域も付けたダイヤモンド、ダイヤモンド膜およびダイヤモンドに似た膜から成る半導体部品を作製することに係わる。この発明によれば、周知のようにドープに使用する第五族の元素に加えて、シリコンをドープすべき横方向と深さ方向の領域に0.1原子%以上の濃度で注入する。その場合、第五族の元素をダイヤモンド基板に導入する前または後に、あるいはこの元素と共に一回の処理工程でシリコンを注入する。第五族の元素のイオンを導入してシリコンを注入する場合では、二回目の注入毎にあるいは二回目の注入後に一度だけ回復処理が行われる。

Claim (excerpt)：

第5族の元素のイオンをイオン注入で導入し、ダイヤモンド基板を回復させ る、ダイヤモンド、ダイヤモンド膜およびダイヤモンドに似た膜中にn型導 電性の領域を狙い通りに作製する方法において、第五族の元素に加えて、シ リコンをドープすべき横方向と深さ方向の領域に0.1原子%以上の濃度で注 入して熱的に回復させることを特徴とする方法。

IPC (4)：

H01L 21/265 ,  C23C 14/48 ,  C23C 14/48 602 ,  C23C 29/16

FI (5)：

C23C 14/48 A ,  H01L 21/265 602 A ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/16 Z ,  H01L 29/16 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体ダイヤモンドの形成方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-302130   Applicant：松下電器産業株式会社